真空鍍又稱(cheng)真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)(du)(du)金、真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)(du)(du)膜，指的(de)(de)是利(li)用(yong)物(wu)理(li)過(guo)程實現(xian)物(wu)質轉(zhuan)移，將原子(zi)(zi)或分子(zi)(zi)由源轉(zhuan)移到(dao)基(ji)材表面上的(de)(de)過(guo)程。它的(de)(de)作用(yong)是可(ke)以使(shi)一些有(you)特殊性能(neng)(強度高(gao)、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的(de)(de)微粒噴(pen)涂(tu)在性能(neng)較低的(de)(de)基(ji)材上，使(shi)得材料(liao)具有(you)更(geng)好的(de)(de)性能(neng)。 真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)(du)(du)(du)的(de)(de)基(ji)本方法分為(wei)真(zhen)空(kong)(kong)蒸發和離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)其中離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)分為(wei)：空(kong)(kong)心陰極(ji)離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)、熱陰極(ji)離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)、電(dian)弧(hu)離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)、活性反應離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)、射頻(pin)離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)、直流放電(dian)離子(zi)(zi)鍍(du)(du)(du)(du)。
真空鍍簡稱PVD是英文Physical Vapor Deposition(物(wu)理(li)氣相(xiang)沉(chen)積(ji))的縮寫，是指在真空(kong)條件(jian)下，采用(yong)低電(dian)(dian)(dian)壓(ya)、大電(dian)(dian)(dian)流的電(dian)(dian)(dian)弧(hu)放電(dian)(dian)(dian)技(ji)術，利用(yong)氣體放電(dian)(dian)(dian)使(shi)靶(ba)材蒸發(fa)并(bing)使(shi)被(bei)蒸發(fa)物(wu)質(zhi)與氣體都發(fa)生(sheng)電(dian)(dian)(dian)離，利用(yong)電(dian)(dian)(dian)場的加速(su)作用(yong)，使(shi)被(bei)蒸發(fa)物(wu)質(zhi)及(ji)其反應(ying)產(chan)物(wu)沉(chen)積(ji)在工件(jian)上。
增強(qiang)(qiang)型磁控(kong)陰極弧(hu)：陰極弧(hu)技(ji)術是在真空條件下，通過低電(dian)(dian)壓和高(gao)電(dian)(dian)流將靶(ba)材(cai)離(li)化成離(li)子狀態，從而完(wan)成薄(bo)(bo)膜材(cai)料的(de)沉積(ji)。增強(qiang)(qiang)型磁控(kong)陰極弧(hu)利用電(dian)(dian)磁場(chang)的(de)共(gong)同作用，將靶(ba)材(cai)表面的(de)電(dian)(dian)弧(hu)加(jia)(jia)以有(you)效地控(kong)制，使材(cai)料的(de)離(li)化率更高(gao)，薄(bo)(bo)膜性能更加(jia)(jia)優異。
過(guo)(guo)濾陰(yin)極(ji)弧(hu)：過(guo)(guo)濾陰(yin)極(ji)電(dian)(dian)弧(hu)(FCA )配有(you)高(gao)效的(de)電(dian)(dian)磁(ci)過(guo)(guo)濾系統(tong)，可將離(li)(li)子(zi)源產生的(de)等離(li)(li)子(zi)體(ti)中的(de)宏觀粒(li)子(zi)、離(li)(li)子(zi)團過(guo)(guo)濾干(gan)凈，經(jing)過(guo)(guo)磁(ci)過(guo)(guo)濾后沉積粒(li)子(zi)的(de)離(li)(li)化率為100%，并且可以過(guo)(guo)濾掉大顆粒(li)，因此制備的(de)薄膜非常致密和平整光(guang)滑，具有(you)抗(kang)腐蝕性(xing)能(neng)好，與機(ji)體(ti)的(de)結(jie)合(he)力很強。
磁(ci)控濺射(she)：在(zai)真空環(huan)境下，通過電(dian)(dian)壓和磁(ci)場的(de)共同作用(yong)，以被(bei)離化的(de)惰性氣(qi)體(ti)離子(zi)對(dui)靶(ba)材(cai)(cai)進(jin)行轟擊(ji)，致使靶(ba)材(cai)(cai)以離子(zi)、原(yuan)子(zi)或(huo)分子(zi)的(de)形(xing)式被(bei)彈(dan)出(chu)并沉(chen)積在(zai)基件上形(xing)成(cheng)薄膜。根據使用(yong)的(de)電(dian)(dian)離電(dian)(dian)源的(de)不同，導體(ti)和非導體(ti)材(cai)(cai)料均可(ke)作為靶(ba)材(cai)(cai)被(bei)濺射(she)。
離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)DLC：碳氫(qing)氣體在(zai)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)源(yuan)(yuan)中被離(li)(li)化成等離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)體，在(zai)電(dian)(dian)磁場的(de)(de)(de)共(gong)同作用下(xia)，離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)源(yuan)(yuan)釋放出(chu)碳離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)。離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)能量(liang)(liang)通過調整加在(zai)等離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)體上(shang)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓來(lai)控制(zhi)。碳氫(qing)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)被引到基(ji)片上(shang)，沉(chen)(chen)積速(su)度(du)與離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)電(dian)(dian)流密度(du)成正比。星弧涂層的(de)(de)(de)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)源(yuan)(yuan)采(cai)用高電(dian)(dian)壓，因而離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)能量(liang)(liang)更大，使得(de)薄膜與基(ji)片結合力很好;離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)電(dian)(dian)流更大，使得(de)DLC膜的(de)(de)(de)沉(chen)(chen)積速(su)度(du)更快。離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)技術(shu)的(de)(de)(de)主要優(you)點在(zai)于可沉(chen)(chen)積超薄及多層結構，工(gong)藝控制(zhi)精度(du)可達幾個埃，并可將工(gong)藝過程(cheng)中的(de)(de)(de)顆料污染(ran)所帶來(lai)的(de)(de)(de)缺(que)陷(xian)降(jiang)至最小。
其中應(ying)用最為廣泛(fan)的真空鍍工(gong)(gong)藝就是磁控濺(jian)射，表面不僅光滑耐(nai)磨而且環保(bao)容(rong)易操作，青島地區真(zhen)空鍍做的(de)比(bi)較全面的(de)比(bi)較專業(ye)的(de)青島大(da)東電子，大(da)家有機會可(ke)以去學(xue)習參觀(guan)，先進的(de)設備(bei)跟工(gong)(gong)藝帶來科(ke)技(ji)改變工(gong)(gong)業(ye)的(de)震(zhen)撼(han)。
關鍵詞： 真(zhen)空(kong)鍍 真(zhen)空(kong)鍍金 PVD 真(zhen)空(kong)鍍膜(mo) 青島大(da)東電子
